소니, 업계 최초 DRAM 내장한 스마트폰용 CMOS 센서 개발

소니에서 업계 최초 DRAM을 내장한 3단 적층형 CMOS 이미지 센서를 개발했다고 7일 밝혔다.

이번에 소니에서 개발한 CMOS 센서는 2단 적층형 CMOS 센서 사이에 DRAM을 적층해 이미지 센서의 데이터 읽기를 향상시킨 것이 특징이다.

소니측은 "빠르게 움직이는 피사체 촬영시에도 포컬 플레인 왜곡을 억제해주며 풀HD (1920×1080) 사이즈로 초당 최대 1000 프레임(기존 대비 약 8배)의 슈퍼 슬로우 모션 동영상 촬영이 가능하고 1930만 화소 크기의 사진을 초당 120 장 (기존 대비 약 4 배) 읽을 수 있어 고속 촬영을 구현했다"고 설명했다.

이미지 센서 화소는 2,120만 화소(1.22μm)이며 4K@ 60fps에서의 촬영도 지원한다. 센서에 내장된 DRAM 용량은 1G bit(125MB)다.

소니는 지난 5일(현지시간)부터 미국 샌프란시스코에서 열리고 있는 ISSCC(국제반도체기술학회)에서 CMOS 센서를 발표했으며, 올 하반기 출시될 플래그십 엑스페리아 스마트폰에 최초 탑재될 것으로 예상된다.