'스냅드래곤 845' 7나노 공정으로 제조.. 2018년 갤럭시S9 최초 탑재

퀄컴의 차세대 플래그십 모바일 애플리케이션(AP) 스냅드래곤 845 칩셋이 삼성 차세대 갤럭시S9에 최초로 탑재될 것이란 전망이 나왔다.

폰아레나 등 외신 보도에 따르면 스냅드래곤 845 칩셋은 7나노(nm) 공정을 사용하며 내년 초 스페인에서 열리는 MWC 2018에서 공개될 예정인 갤럭시S9에 최초로 탑재된다.

현재 북미, 중국서 출시된 갤럭시S8 시리즈에는 10나노 공정을 사용한 스냅드래곤 835 칩셋이 탑재됐다. 7나노 공정을 사용한 스냅드래곤 845는 25~35% 정도 성능이 향상되며 칩셋 크기도 줄어들어 슬림한 스마트폰 구현에도 유리하다.

스냅드래곤 835 칩셋은 삼성전자에서 10나노 공정으로 위탁생산하고 있지만, 차기 제품은 삼성전자 또는 TSMC에서 개발한 7나노 공정을 사용할 전망이다.

대만 TSMC는 4월에 7나노 공정 개발을 시작했으며, 현재 시험 제작 단계에 돌입한 것으로 알려졌으며 최근 10나노 2세대 핀펫공정 개발을 완료한 삼성전자도 내년 초 7나노 칩셋 생산을 목표로 개발을 진행 중에 있다.

삼성전자는 올해 초 개최된 컨퍼런스콜에서 "2018년초 시스템LSI 반도체를 7나노 공정으로 생산한다는 목표로 추진 중에 있으며 미세공정을 위한 EUV(극자외선 노광장비)도 로직 프로세스에 도입할 예정"이라고 밝힌 바 있다.