2017년 7월 18일 화요일

삼성전자, 기존 보다 8배 빠른 초고성능 '8GB HBM2 D램' 공급 확대

18일 삼성전자가 '8GB(기가바이트) HBM2(고대역폭 메모리·High Bandwidth Memory) D램' 양산을 대폭 확대한다고 밝혔다.
삼성전자는 슈퍼컴퓨터(HPC) 시장뿐 아니라 네트워크와 그래픽카드 시장까지 공급을 확대하고 조만간 차세대 제품군 생산에도 나선다는 계획이다.
8GB HBM2 D램은 기존 그래픽 D램(8Gb GDDR5, 8Gbps)의 전송 속도(32GB/s)보다 8배 빠른 초당 256GB 속도로 데이터 전송이 가능하다. 256GB/s는 20GB 용량 UHD급 화질의 영화 13편을 1초에 전송하는 속도다.
8GB HBM2 D램에는 삼성전자의 '초고집적 TSV(실리콘 관통 전극) 설계'와 '발열 제어 기술' 등 850건의 핵심 특허가 적용됐다. 이 제품은 1개의 버퍼 칩 위에 8Gb HBM2 D램 칩(20나노 공정 기반) 8개를 적층한 구조다. 각 칩에 5000개 이상의 미세한 구멍을 뚫고 4만개 이상의 'TSV 접합볼'로 수직 연결한 '초고집적 TSV 설계 기술'이 적용됐다.
특히 대용량 정보 처리시 일부 TSV에서 데이터 전달이 지연될 경우 성능 저하가 발생하지 않도록 다른 TSV로 경로를 전환시켜 최적의 성능을 유지할 수 있다. 소비전력 효율도 2배 높였다.
삼성전자는 글로벌 IT 고객들의 요구에 맞춰 HBM2 제품군 중 8GB HBM2 제품의 양산 규모를 확대해 내년 상반기에는 그 비중을 50% 이상으로 늘려 프리미엄 D램 시장 수요에 적극 대응할 방침이다.

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