삼성전자, 美파운드리 포럼 개최.. 2020년 4나노 공정 돌입
삼성전자가 24일(현지시각) 미국 산타클라라에서 ‘삼성 파운드리 포럼’을 개최했다.
삼성전자는 이번 포럼에서 8나노에서 4나노까지의 광범위한 첨단 미세공정 로드맵과 FD-SOI(Fully Depleted-Silicon on Insulator) 솔루션 등 최첨단 파운드리 공정 계획을 발표했다.
먼저 삼성전자는 현 노광장비로 구현할 수 있는 가장 경쟁력 있는 미세공정인 8나노 LPP(Low Power Plus) 공정개발을 연내 완료하고 극자외선 노광장비(EUV)를 적용한 7나노, 6나노, 4나노 공정개발을 각각 내년과 오는 2019년, 오는 2020년 등까지 마무리할 예정이다.
18나노 FD-SOI는 현재 양산되고 있는 28나노 FD-SOI 공정에 eMRAM과 RF(Radio Frequency) 기능을 통합하는 플랫폼 등 성능과 저전력 특성을 향상한 차세대 솔루션으로 오는 2020년 개발이 완료될 예정이다.
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