미리보는 갤럭시S26 울트라 성능은? '스냅드래곤 8 엘리트 2' 안투투 벤치마크 유출

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갤럭시S26 울트라에 탑재될 스냅드래곤 8 엘리트 2 칩셋의 안투투 벤치마크 점수가 380만점으로 유출됨. 이는 1세대 대비 41% 성능 향상을 의미하며, TSMC 3나노 공정으로 제조될 예정.

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 삼성전자의 차기 플래그십 스마트폰 갤럭시S26 울트라 모델의 성능을 미리 엿볼 수 있는 '스냅드래곤 8 엘리트 2(가칭)' 칩셋의 안투투 벤치마크가 유출됐다.

중국 소셜 미디어 웨이보에 유출된 새로운 보고서에 따르면 '스냅드래곤 8 엘리트 2' 칩셋은 안투투 벤치마크에서 약 380만점을 획득했다.

현재 안투투 벤치마크 차트에서 가장 높은 점수를 기록힌 기기는 스냅드래곤 8 엘리트 기반 iQOO 13이다. 2세대 스냅드래곤 8 엘리트 칩셋은 이보다 약 41% 성능이 향상된 수준이다.

2세대 스냅드래곤 8 엘리트 칩셋은 2세대 오라이온(Oryon) CPU를 탑재할 것으로 예상된다. TSMC의 3세대 3나노(N3P) 공정으로 제조되고 프라임 코어 2개와 성능 코어 6개를 탑재할 것으로 알려졌다.

삼성전자는 삼성파운드리의 저조한 3나노 수율 문제로 올해 갤럭시S25 시리즈에 스냅드래곤 8 엘리트 칩셋을 전량 탑재했다. 차기 갤럭시S26 시리즈 일부 모델에는 2나노 공정의 엑시노스 2600 칩셋이 탑재될 수 있다는 루머도 돌고 있지만, 최소한 울트라 모델에는 스냅드래곤 칩셋이 사용될 가능성이 높다.