'갤럭시Z 플립7' 탑재 3나노 엑시노스 2500 성능은?

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갤럭시Z 플립7 프로토타입(SM-F266U)의 긱벤치 점수가 유출되어 싱글코어 2012점, 멀티코어 7563점을 기록했습니다. 이는 스냅드래곤 8 엘리트보다 낮지만, 최종 제품 출시 전까지 성능 향상이 가능합니다.

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출처: 긱벤치

삼성전자가 차세대 폴더블폰 '갤럭시Z 플립7'에 탑재할 것으로 예상되는 3나노(nm) 엑시노스 2500 칩셋의 성능이 유출됐다.

26일 모델 번호 SM-F266U를 사용하는 갤럭시Z 플립7 프로토타입이 긱벤치 데이터베이스에서 포착됐다. 해당 모델 번호는 지난 1월 GSMA 데이터베이스에서도 확인된 바 있으며, 'U' 접미사는 미국 출시 모델을 의미한다.

벤치마크 결과에 따르면, 갤럭시Z 플립7은 싱글코어 2012점, 멀티코어 7563점을 기록했다. 이는 갤럭시S25 시리즈의 스냅드래곤 8 엘리트 칩셋과 비교했을 때, 싱글코어 기준 약 1200점, 멀티코어 기준 약 2500점 낮은 수치다.

스냅드래곤 8 엘리트 칩은 TSMC에서 2세대 3나노(N3E) 공정으로 제조한다. 엑시노스 2500 성능을 애플 A 시리즈와 비교하면 싱글 코어 성능은 2020년 출시된 A14 칩과 비슷하며, 멀티 코어 성능은 2023년 출시한 A17 프로와 비슷하다. 

다만, 이번 테스트는 초기 프로토타입 기반으로 이뤄졌기 때문에, 최종 제품 출시 전까지 성능이 향상될 여지는 충분히 남아 있다. 특히 삼성은 갤럭시S26 시리즈에 2나노 기반 엑시노스 2600을 적용할 계획이어서, 엑시노스 2500의 성패가 차세대 칩셋의 성공 가능성을 가늠할 척도로 작용할 수 있다.