삼성전자, 2026년 하반기 차세대 'HBM4E' 샘플 출하

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삼성전자가 HBM4 양산 출하를 시작하며, HBM4E 샘플은 2026년 하반기, 맞춤형 HBM은 2027년부터 순차 샘플링할 계획이다.

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출처: 삼성

 12일 삼성전자가 세계 최초 업계 최고 성능의 HBM4를 양산 출하를 발표하며, 올 하반기에는 HBM4E 샘플도 출하할 계획이라고 밝혔다.

삼성전자가 양산 출하를 시작한 HBM4는 최선단 공정 1c D램(10나노급 6세대)을 선제적으로 도입해 JEDEC 업계 표준인 8Gbps를 약 46% 상회하는 11.7Gbps의 동작 속도를 안정적으로 확보한 것이 특징이다.

이는 전작 HBM3E의 최대 핀 속도인 9.6Gbps 대비 약 1.22배 향상된 수치이며 최대 13Gbps까지 구현이 가능해 AI 모델 규모가 커질수록 심화되는 데이터 병목을 효과적으로 해소할 것으로 기대된다.

삼성전자의 HBM4는 단일 스택 기준 총 메모리 대역폭을 전작 HBM3E 대비 약 2.7배 향상된 최대 3.3TB/s 수준으로 끌어올려, 고객사 요구 수준인 3.0TB/s를 상회하는 성능을 확보했다.

삼성전자의 HBM4는 12단 적층 기술을 통해 24GB~36GB의 용량을 제공하며, 고객사의 제품 일정에 맞춰 16단 적층 기술을 적용해 최대 48GB까지 용량을 확장할 계획이다.

또한, 삼성전자는 HBM4의 기본 구조를 기반으로, 동작 속도•대역폭•전력 효율을 한층 끌어올린 차세대 고대역폭 메모리 ‘HBM4E’도 준비 중으로 2026년 하반기에 샘플 출하를 할 계획이다.

이어 맞춤형 HBM도 2027년부터 고객사별 요구에 맞춰 순차 샘플링을 시작할 예정이다. 맞춤형 HBM은 고객의 AI 가속기•GPU 아키텍처에 맞춰 용량, 속도, 전력 특성, 인터페이스 등을 맞춤 설계한 고대역폭 메모리 제품. 표준화된 제품과 달리, 고객별 연산 구조와 사용 환경에 최적화해 성능 효율을 극대화할 수 있는 것이 특징이다.