삼성전자, 美 GTC서 차세대 'HBM4E' 최초 공개

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삼성전자가 GTC에서 HBM4E 칩과 코어 다이 웨이퍼를 공개하고, 4.0TB/s 대역폭과 HCB 기술 등을 강조했다.

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출처: 삼성

 삼성전자가 3월 16일부터 19일까지(현지시간) 미국 새너제이에서 열리는 엔비디아 GTC에 참가해 차세대 HBM4E와 코어 다이 웨이퍼를 업계 최초로 공개했다.

HBM4E 칩은 삼성 파운드리의 4 공정을 베이스 다이 설계에 직접 적용한 것이 특징. 이를 통해 핀당 16G기가비트(Gbps)의 속도와 초당 4.0TB의 압도적 대역폭을 구현했다. 

삼성전자 HBM4E는 메모리, 자체 Foundry와 로직 설계 역량, 그리고 첨단 패키징 기술 등 부문 내 모든 역량을 결집한 최적화 협업을 통해 핀당 16Gbps 속도와 4.0TB/s 대역폭을 지원할 예정이다.

또한 삼성전자는 영상을 통해 TCB(Thermal Compression Bonding) 대비 열 저항을 20% 이상 개선하고 16단 이상 고적층을 지원하는 HCB(Hybrid Copper Bonding) 기술을 공개하며, 차세대 HBM을 위한 삼성전자의 패키징 기술 경쟁력을 강조했다.

한편, 삼성은 올 하반기 HBM4E 칩의 샘플 출하를 목표로 하고 있다.